S2A-Q Datasheet, PDF (1/2 Pages) Diotec Semiconductor – Surface Mount Silicon Rectifier Diodes

S2D-Q ... S2M-Q
S2D-Q ... S2M-Q
Surface Mount Silicon Rectifier Diodes (AEC-Q101)
Silizium-Gleichrichterdioden für die Oberflächenmontage (AEC-Q101)
Version 2014-09-09
5.4^{± 0.5}
Nominal Current – Nennstrom
2A
Reverse voltage – Sperrspannung
200...1000 V
1.1 0.15
Plastic case
Kunststoffgehäuse
~ SMB
~ DO-214AA
Type
Typ
4.6^{± 0.5}
Dimensions - Maße [mm]
Weight approx. – Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
0.1 g
Maximum ratings and characteristics
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
S2D-Q
200
S2G-Q
400
S2J-Q
600
S2K-Q
800
S2M-Q
1000
Grenz- und Kennwerte
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
200
400
600
800
1000
Max. average forw. rectified current – Dauergrenzstr. in Einwegschaltung TT = 100°C
Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz
Surge current, 50/60 Hz half sine – Stoßstrom 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing, t < 10 ms – Grenzlastintegral, t < 10 ms
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
TA = 25°C
TA = 25°C
Forward voltage – Durchlass-Spannung
Tj = 25°C IF = 2 A
Leakage current
Sperrstrom
Tj = 25°C VR = VRRM
Tj = 125°C VR = VRRM
Thermal resistance junction to ambient – Wärmewiderstand Sperrschicht-Umgebung
Thermal resistance junction-terminal − Wärmewiderstand Sperrschicht-Anschluss
IFAV
2 A ¹)
IFRM
10 A ²)
IFSM
50/55 A
i²t
12 A²s
Tj ^{-50...+150°C}
TS ^{-50...+150°C}
VF
< 1.15 V
IR
< 1 µA
IR
< 100 µA
RthA < 50 K/W ²)
RthT
< 15 K/W
1 R-load – R-Last
2 Mounted on P.C. board with 50 mm² copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 50 mm² Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1