S1A_11 Datasheet, PDF (1/2 Pages) Micro Commercial Components – 1 Amp Silicon Rectifier 50 to 1000 Volts

S1A ... S1Y
S1A ... S1Y
Surface Mount Silicon Rectifier Diodes
Silizium-Gleichrichterdioden für die Oberflächenmontage
Version 2011-05-31
5^{± 0.2}
Nominal current – Nennstrom
Plastic case
Kunststoffgehäuse
1^{± 0.3}
Type
Typ
0.15
4.5^{± 0.3}
Dimensions - Maße [mm]
Weight approx. – Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
1A
~ SMA
~ DO-214AC
0.07 g
Maximum ratings and Characteristics ¹)
Type (Repetitive) Peak reverse voltage
Forward voltage
Typ (Periodische-)Spitzensperrspannung Durchlass-Spannung
S1A
S1B
S1D
S1G
S1J
S1K
S1M
S1T
S1W
S1X
S1Y
VRRM [V] / VRSM [V]
50
100
200
400
600
800
1000
1300
1600
1800
2000
VF [V] @ IF = 1A
< 1.1
< 1.1
< 1.1
< 1.1
< 1.1
< 1.1
< 1.1
< 1.1
< 1.1
< 1.1
< 1.1
Grenz- und Kennwerte ¹)
Leakage current – Sperrstrom
IR [µA] @ VRRM
Tj = 100°C
IR [µA] @ VRRM
<5
< 50
<5
< 50
<5
< 50
<5
< 50
<5
< 50
<5
< 50
<5
< 50
<5
< 50
<5
< 50
<5
< 50
<5
< 50
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TT = 100°C
IFAV
1A
Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz
IFRM
6 A ²)
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C
IFSM
30/32 A
Rating for fusing, t < 10 ms – Grenzlastintegral, t < 10 ms
TA = 25°C
i²t
4.5 A²s
Typical junction capacitance – Typische Sperrschichtkapzität
VR = 4 V
Cj
typ. 12 pF
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
-50...+150°C
TS
-50...+150°C
Thermal resistance junction-ambient − Wärmewiderstand Sperrschicht-Umgebung RthA
Thermal resistance junction-terminal − Wärmewiderstand Sperrschicht-Anschluss
RthT
< 70 K/W ²)
< 30 K/W
1 Tj = 25°C unless otherwise specified – Tj = 25°C wenn nicht anders angegeben
2 Mounted on P.C. board with 25 mm² copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm² Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
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