S16ASD2 Datasheet, PDF (1/2 Pages) Diotec Semiconductor – Surface Mount Silicon Rectifier Diodes - Half Bridge

S16ASD2 ... S16MSD2
S16ASD2 ... S16MSD2
Surface Mount Silicon Rectifier Diodes – Half Bridge
Silizium-Gleichrichterdioden für die Oberflächenmontage– Halbbrücke
Version 2010-09-22
1.2
4.5 ^±0.2
10.25 ^±0.5
4
Type
Typ
0.4
1
2
3
123
1.3
0.8
5.08
4
Dimensions - Maße [mm]
Nominal current
Nennstrom
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx.
Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging in tubes
Standard Lieferform in Stangen
16 A
50...1000 V
TO-263AB
D²PAK
1.6 g
Maximum ratings and Characteristics
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V] ¹)
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V] ¹)
S16ASD2
S16BSD2
S16DSD2
S16GSD2
S16JSD2
S16KSD2
S16MSD2
50
100
200
400
600
800
1000
50
100
200
400
600
800
1000
Grenz- und Kennwerte
Forward voltage
Durchlass-Spannung
VF [V] ¹), Tj = 25°C
IF = 5 A
IF = 8 A
< 1.0
< 1.1
< 1.0
< 1.1
< 1.0
< 1.1
< 1.0
< 1.1
< 1.0
< 1.1
< 1.0
< 1.1
< 1.0
< 1.1
Max. average forward current, R-load
Dauergrenzstrom mit R-Last
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
TC = 100°C
IFAV
TC = 100°C
IFAV
f > 15 Hz
IFRM
TA = 25°C
IFSM
TA = 25°C
i²t
Tj
TS
8 A ¹)
16 A ²)
30 A ³)
135/150 A ¹)
90 A²s ¹)
-50...+150°C
-50...+175°C
1 Per diode – Pro Diode
2 Output current when operating two devices in a full bridge configuration
Ausgangsstrom bei Betrieb zweier Bauteile als Vollbrücke
3 Max. temperature of the case TC = 100°C – Max. Temperatur des Gehäuses TC = 100°C
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
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