P2000ATL Datasheet, PDF (1/2 Pages) Diotec Semiconductor – Silicon Rectifier Diodes

P2000ATL ... P2000MTL
P2000ATL ... P2000MTL
Silicon Rectifier Diodes – Silizium-Gleichrichterdioden
Version 2013-01-24
Nominal current
Nennstrom
Ø 8^±0.1
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx.
Gewicht ca.
Ø 1.6^±0.05
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
Dimensions - Maße [mm]
20 A
50...1000 V
Ø 8 x 7.5 [mm]
2.0 g
Maximum ratings
Type
Typ
P2000ATL
Repetitive peak reverse voltage/Surge peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung/ Stoßspitzensperrspannung
VRRM [V]/VRSM [V]
50
P2000BTL
100
P2000DTL
200
P2000GTL
400
P2000JTL
600
P2000KTL
800
P2000MTL
1000
Grenzwerte
DC reverse voltage
Sperr-Gleichspannung
VDC[V]
40
80
160
320
480
640
800
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
TA = 50°C
IFAV
f > 15 Hz
IFRM
TA = 25°C
IFSM
TA = 25°C
i²t
Tj
TS
20 A ¹)
100 A ¹)
500/550 A
1250 A²s
-50...+175°C
-50...+175°C
1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
1
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