P1200A Datasheet, PDF (1/2 Pages) Semikron International – Standard silicon rectifier diodes

P1200A ... P1200G
Version 2006-01-25
Ø 8 ^±0.1
Type
Ø 1.2 ^±0.05
Dimensions - Maße [mm]
P1200A ... P1200G
Silicon-Rectifiers
Silizium-Gleichrichter
Nominal Current
Nennstrom
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx.
Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
12 A
50...400 V
Ø 8 x 7.5 [mm]
P600 Style
1.3 g
Maximum ratings
Type
Typ
P1200A
P1200B
P1200D
P1200G
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
50
100
200
400
Grenzwerte
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
50
100
200
400
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
at reduced reverse voltage
bei reduzierter Sperrspannung
Storage temperature – Lagerungstemperatur
TA = 50°C
IFAV
f > 15 Hz
IFRM
TA = 25°C
IFSM
TA = 25°C
i²t
VR ≤ 80% VRRM
Tj
VR ≤ 20% VRRM
Tj
TS
12 A ¹)
80 A ¹)
400/450 A
800 A²s
-50...+150°C
-50...+200°C
-50...+175°C
1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
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