MUR860 Datasheet, PDF (1/2 Pages) Shanghai Lunsure Electronic Tech – 8Amp super fast glass passivated rectifier 600volts

MUR860
MUR860
Superfast Efficient Rectifier Diodes
Superschnelle Gleichrichter für hohen Wirkungsgrad
IFAV = 8 A
VF1 < 1.4 V
Tjmax = 175°C
VRRM = 600 V
IFSM = 90/100 A
trr1 < 50ns
Version 2016-01-22
TO-220AC
1.2^±0.2
4.5^±0.2
2.67^±0.2
0.42^±0.1
10.1^±0.3
Ø 3.8^±0.2
4
4
Type
Typ
13
1.3^±0.1
1
3
0.8^±0.2
5.08^±0.1
Typical Applications
Rectification of higher frequencies,
High efficient switching stages
Free-wheeling diodes
Commercial grade ¹)
Features
Very low reverse recovery time
Low forward voltage drop
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals ¹)
Mechanical Data ¹)
Packed in tubes
Weight approx.
Typische Anwendungen
Gleichrichtung hoher Frequenzen
Wandlerstufen mit hohem Wirkungsgrad
Freilaufdioden
Standardausführung ¹)
Besonderheiten
Sehr niedrige Sperrverzugszeit
Niedrige Fluss-Spannung
RoHS
Pb
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien ¹)
Mechanische Daten ¹)
50
Verpackt in Stangen
1.8 g
Gewicht ca.
Dimensions - Maße [mm]
Case material
UL 94V-0
Gehäusematerial
Solder & assembly conditions
260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen
MSL N/A
Maximum ratings ²)
Type
Typ
MUR860
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
600
Grenzwerte ²)
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
600
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing
Grenzlastintegral, t < 10 ms
MUR860
MUR860
MUR860
TC = 150°C
IFAV
f > 15 Hz
IFRM
TA = 25°C
IFSM
TA = 25°C
i²t
8 A ³)
18 A ³)
90 / 100 A
40 A²s
Characteristics
Leakage current
Sperrstrom
VR = VRRM
MUR860
Tj = 25°C
Tj = 150°C
Kennwerte
IR
< 5 µA
IR
< 500 µA
Thermal resistance junction to ambient – Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung
Thermal resistance junction to case – Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse
RthA
< 75 K/W ³)
RthC
< 2.0 K/W
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 Tj = 25°C unless otherwise specified – Tj = 25°C wenn nicht anders angegeben
3 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
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