MUR420_16 Datasheet, PDF (1/2 Pages) Diotec Semiconductor – Superfast Efficient Rectifier Diodes

MUR420 ... MUR460
MUR420 ... MUR460
Superfast Efficient Rectifier Diodes
Superschnelle Gleichrichter für hohen Wirkungsgrad
IFAV = 4 A
VF1 < 0.89 V
Tjmax = 175°C
VRRM = 200...600 V
IFSM1 = 110/125 A
trr < 25...50ns
Version 2016-06-07
Ø 5.4 x 7.5
Ø 5.4^±0.1
Typical Applications
Rectification of higher frequencies,
High efficient switching stages
Commercial grade ¹)
Features
Very low reverse recovery time
Low forward voltage drop
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals ¹)
Typische Anwendungen
Gleichrichtung hoher Frequenzen
Wandlerstufen mit hohem Wirkungsgrad
Standardausführung ¹)
Besonderheiten
Sehr niedrige Sperrverzugszeit
Niedrige Fluss-Spannung
RoHS
Pb
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien ¹)
Mechanical Data ¹)
Mechanische Daten ¹)
Taped in ammo pack
1250
Gegurtet in Ammo-Pack
Ø 1.2^±0.05
Weight approx.
Case material
1.15 g
UL 94V-0
Gewicht ca.
Gehäusematerial
Solder & assembly conditions
260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen
Dimensions - Maße [mm]
MSL N/A
Maximum ratings ²)
Type
Typ
MUR420
MUR440
MUR460
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
200
400
600
Grenzwerte ²)
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
200
400
600
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TA = 50°C
IFAV
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
MUR420
f > 15 Hz
IFRM
MUR440 ... 460 f > 15 Hz
IFRM
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
MUR420
TA = 25°C
IFSM
MUR440 ... 460 TA = 25°C
IFSM
Rating for fusing
Grenzlastintegral, t < 10 ms
MUR420
TA = 25°C
i²t
MUR440 ... 460 TA = 25°C
i²t
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Tj
Storage temperature – Lagerungstemperatur
TS
Characteristics
Leakage current
Sperrstrom
VR = VRRM
Tj = 25°C
IR
MUR420
Tj = 150°C
IR
MUR440 ... 460 Tj = 150°C
IR
Thermal resistance junction to ambient – Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung
RthA
Thermal resistance junction to leads – Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht
RthL
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 Tj = 25°C unless otherwise specified – Tj = 25°C wenn nicht anders angegeben
3 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
4 A ³)
22 A ³)
20 A ³)
110 / 125 A
100 / 110 A
60 A²s
50 A²s
-55...+150°C
-55...+150°C
Kennwerte
< 5 µA
< 150 µA
< 250 µA
< 45 K/W ³)
< 15 K/W
1