MPSA05 Datasheet, PDF (1/2 Pages) Motorola, Inc – Amplifier Transistors

MPSA05 ... MPSA06
MPSA05 ... MPSA06
NPN
General Purpose Si-Epitaxial PlanarTransistors
Si-Epitaxial Planar-Transistoren für universellen Einsatz
Version 2006-07-25
Power dissipation
Verlustleistung
Plastic case
E BC
Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca.
2 x 2.54
Dimensions - Maße [mm]
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
NPN
625 mW
TO-92
(10D3)
0.18 g
Maximum ratings (TA = 25°C)
Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung B open VCEO
Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung E open VCBO
Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung
C open VEBO
Power dissipation – Verlustleistung
Ptot
Collector current – Kollektorstrom (dc)
IC
Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom
ICM
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Tj
Storage temperature – Lagerungstemperatur
TS
Grenzwerte (TA = 25°C)
MPSA05
MPSA06
60 V
80 V
60 V
80 V
4V
625 mW ¹)
500 mA
1A
-55...+150°C
-55…+150°C
Characteristics (Tj = 25°C)
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis ²)
IC = 10 mA, VCE = 1 V
hFE
IC = 100 mA, VCE = 1 V
hFE
Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Emitter-Sättigungsspg. ²)
IC = 100 mA, IB = 10 mA
Base-Emitter voltage – Basis-Emitter-Spannung ²)
VCEsat
IC = 100 mA, VCE = 1 V
VBE
Collector-Base cutoff current – Kollektor-Basis-Reststrom
VCB = 60 V, (E open)
VCB = 80 V, (E open)
MPSA05
ICBO
MPSA06
ICBO
Kennwerte (Tj = 25°C)
Min.
Typ.
Max.
100
–
–
100
–
–
–
–
0.25 V
–
–
1.2 V
–
–
100 nA
–
–
100 nA
1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case
Gültig wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
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