MMFTN3018W Datasheet, PDF (1/2 Pages) Diotec Semiconductor – Silicon N-Channel MOS Field Effect Transistor

MMFTN3018W
MMFTN3018W
N
Silicon N-Channel MOS Field Effect Transistor
Silizium N-Kanal MOS Feldeffekt-Transistor
Version 2011-01-28
Power dissipation – Verlustleistung
2^±0.1
0.3
3
1^±0.1
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Type
Code
1
2
1.3
Dimensions - Maße [mm]
1=G 2=S 3=D
Weight approx. – Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
N
200 mW
SOT-323
0.01 g
Maximum ratings (TA = 25°C)
Drain-Source-voltage – Drain-Source-Spannung
G short
VDSS
Gate-Source-voltage Continuos – Gate-Source-Spannung
VGSS
Power dissipation – Verlustleistung
Ptot
Drain current continuos – Drainstrom (dc)
ID
Peak Drain current – Drain-Spitzenstrom
IDM
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Tj
Storage temperature – Lagerungstemperatur
TS
Grenzwerte (TA = 25°C)
MMFTN3018W
60 V
± 20 V
200 mW ¹)
100 mA
400 mA
150°C
-55…+150°C
1 Device mounted on standard PCB material
Bauteil montiert auf Standard-Leiterplattenmaterial
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
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