MMFTN290E Datasheet, PDF (1/2 Pages) Diotec Semiconductor – N-Channel Enhancement Mode FET with Protected Gate

MMFTN290E
MMFTN290E
N-Channel Enhancement Mode FET with Protected Gate
N-Kanal FET mit Gateschutzdiode - Anreicherungstyp
Version 2016-04-14
SOT-523
1.6^±0.1
0.2^±0.05
3
Type
Code
1
2
1.0^±0.1
D
0.75^±0.1
Typical Applications
Signal processing,
Switching, Control
Commercial grade ¹)
Features
Low On-Resistance
Protected Gate
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals ¹)
Mechanical Data ¹)
G
Taped and reeled
Weight approx.
1=G
S
2=S 3=D
Case material
Solder & assembly conditions
Dimensions - Maße [mm]
ID = 700 mA
RDSon1 = 380 mΩ
Tjmax = 150°C
VDSS = 20 V
Ptot = 300 mW
Typische Anwendungen
Signalverarbeitung,
Schalten, Regeln
Standardausführung ¹)
Besonderheiten
Niedriger Einschaltwiderstand
Gateschutzdiode
RoHS
Pb
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien ¹
Mechanische Daten ¹)
3000 / 7“
Gegurtet auf Rolle
0.01 g
Gewicht ca.
UL 94V-0
Gehäusematerial
260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen
MSL = 1
Maximum ratings (TA = 25°C)
Drain-Source-voltage – Drain-Source-Spannung
VDSS
Gate-Source-voltage
Gate-Source-Spannung
dc
ESD
VGSS
VGSS
Power dissipation – Verlustleistung
Ptot
Drain current
Drainstrom
VGS = 4.5 V ID
TA = 100°C, VGS = 4.5 V ID
Peak Drain current pulsed – Drain-Spitzenstrom gepulst
tp < 10 µs IDM
Source current – Source-Strom
IS
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Tj
Storage temperature – Lagerungstemperatur
TS
Grenzwerte (TA = 25°C)
MMFTN290E
20 V
±8V
± 2 kV
300 mW ²)
700 mA ²)
440 mA ²)
2.8 A
300 mA ²)
-55…+150°C
-55…+150°C
Characteristics (Tj = 25°C)
Drain-Source breakdown voltage – Drain-Source-Durchbruchspannung
ID = 250 µA
V(BR)DSS
Drain-Source leakage current – Drain-Source-Leckstrom
VDS = 20 V
IDSS
VDS = 20 V, Tj =150°C
IDSS
Gate-Source leakage current – Gate-Source-Leckstrom
VGS = ± 8 V
IGSS
VGS = ± 4.5 V
IGSS
Kennwerte (Tj = 25°C)
Min.
Typ.
Max.
20 V
1 µA
10 µA
± 2 µA
± 0.5 µA
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 Mounted on P.C. board with 3 mm² copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm² Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
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