MMFTN20_15 Datasheet, PDF (1/2 Pages) Diotec Semiconductor – N-Channel Enhancement Vertical D-MOS Transistor

MMFTN20
MMFTN20
N
N-Channel Enhancement Vertical D-MOS Transistor
N-Kanal Vertikal D-MOS Transistor - Anreicherungstyp
Version 2015-05-12
2.9 ^±0.1
0.4+0.1
-0.05
3
Type
Code
1.1+0.1
-0.2
Power dissipation – Verlustleistung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca.
1
2
1.9^±0.1
Dimensions - Maße [mm]
1=G 2=S 3=D
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
N
300 mW
SOT-23
(TO-236)
0.01 g
Maximum ratings (TA = 25°C)
Drain-Source-voltage – Drain-Source-Spannung
Gate-Source-voltage – Gate-Source-Spannung
Power dissipation – Verlustleistung
Power dissipation – Verlustleistung
Drain current – Drainstrom (dc)
Peak Drain current – Drain-Spitzenstrom
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
D open
VDS
VGSO
Ptot
Ptot
ID
IDM
Tj
TS
Grenzwerte (TA = 25°C)
MMFTN20
50 V
± 20 V
300 mW ¹)
250 mW ²)
100 mA
300 mA
-55...+150°C
-55…+150°C
1 Device mounted on a ceramic substrate 10 x 8 x 0.7 mm
Bauteil montiert auf Keramiksubstrat 10 x 8 x 0.7 mm
2 Device mounted on standard PCB material
Bauteil montiert auf Standard-Leiterplattenmaterial
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
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