MMFTN170_15 Datasheet, PDF (1/2 Pages) Diotec Semiconductor – N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

MMFTN170
MMFTN170
N
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
N-Kanal Feldeffekt Transistor – Anreicherungstyp
Version 2015-05-12
2.9 ^±0.1
0.4+0.1
-0.05
3
Type
Code
1
2
1.1+0.1
-0.2
1.9^±0.1
Dimensions - Maße [mm]
1=G 2=S 3=D
Power dissipation – Verlustleistung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
N
300 mW
SOT-23
(TO-236)
0.01 g
Maximum ratings (TA = 25°C)
Drain-Source-voltage – Drain-Source-Spannung
Drain-Gate-voltage – Drain-Gate-Spannung
Gate-Source-voltage continuos
Gate-Source-Spannung dauernd
Power dissipation – Verlustleistung
Drain current continuos – Drainstrom (dc)
Peak Drain current – Drain-Spitzenstrom
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
G short
RGS < 1 MΩ
VDSS
VDGR
VGSS
Ptot
ID
IDM
Tj
TS
Grenzwerte (TA = 25°C)
MMFTN170
60 V
60 V
± 20 V
300 mW
500 mA
800 mA
150°C
-55…+150°C
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
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