MMFTN123_15 Datasheet, PDF (1/2 Pages) Diotec Semiconductor – N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

MMFTN123
MMFTN123
N
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
N-Kanal Logikpegel Feldeffekt-Transistor – Anreicherungstyp
Version 2015-05-12
2.9 ^±0.1
0.4+0.1
-0.05
3
Type
Code
1
2
1.1+0.1
-0.2
1.9^±0.1
Dimensions - Maße [mm]
1=G 2=S 3=D
Power dissipation – Verlustleistung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
N
360 mW
SOT-23
(TO-236)
0.01 g
Maximum ratings (TA = 25°C)
Drain-Source-voltage – Drain-Source-Spannung
Gate-Source-voltage – Gate-Source-Spannung
Power dissipation – Verlustleistung
Drain current – Drainstrom (dc)
Peak Drain current – Drain-Spitzenstrom
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Grenzwerte (TA = 25°C)
MMFTN123
VDS
100 V
VGSS
± 20 V
Ptot
360 mW ¹)
ID
170 mA
IDM
680 mA
Tj
150°C
TS
-55…+150°C
1 Device mounted on standard PCB material
Bauteil montiert auf Standard-Leiterplattenmaterial
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
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