MMBTA55 Datasheet, PDF (1/2 Pages) Transys Electronics – PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR

MMBTA55 ... MMBTA56
MMBTA55 ... MMBTA56
PNP
General Purpose Si-Epitaxial PlanarTransistors
Si-Epitaxial Planar-Transistoren für universellen Einsatz
Version 2006-08-09
2.9 ^±0.1
1.1
0.4
3
Type
Code
1
2
1.9
Dimensions - Maße [mm]
1=B 2=E 3=C
Power dissipation – Verlustleistung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
PNP
250 mW
SOT-23
(TO-236)
0.01 g
Maximum ratings (TA = 25°C)
Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung
Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung
Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung
Power dissipation – Verlustleistung
Collector current – Kollektorstrom (dc)
Base current – Basisstrom
Peak Base current – Basis-Spitzenstrom
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
B open
E open
C open
- VCEO
- VCBO
- VEBO
Ptot
- IC
- IB
- IBM
Tj
TS
Grenzwerte (TA = 25°C)
MMBTA55
MMBTA56
60 V
80 V
60 V
80 V
4V
250 mW ¹)
500 mA
100 mA
200 mA
-55...+150°C
-55…+150°C
Characteristics (Tj = 25°C)
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis ²)
- IC = 10 mA, - VCE = 1 V
hFE
- IC = 100 mA, - VCE = 1 V
hFE
Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Emitter-Sättigungsspg. ²)
- IC = 100 mA, - IB = 10 mA
- VCEsat
Base-Emitter voltage – Basis-Emitter-Spannung
- IC = 100 mA, - VCE = 1 V
- VBE
Kennwerte (Tj = 25°C)
Min.
Typ.
Max.
100
–
–
100
–
–
–
–
0.25 V
–
–
1.2 V
1 Mounted on P.C. board with 3 mm² copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm² Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
2 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
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