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MMBTA05 Datasheet, PDF (1/2 Pages) Transys Electronics – NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR | |||
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MMBTA05 / MMBTA06
MMBTA05 / MMBTA06
NPN
Surface mount general purpose Si-epitaxial planar transistors
Vielzweck Si-Epitaxial Planar-Transistoren für die Oberflächenmontage
Version 2007-06-25
2.9 ±0.1
1.1
0.4
3
Type
Code
1
2
1.9
Power dissipation
Verlustleistung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx. â Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Dimensions / MaÃe [mm]
1=B 2=E 3=C
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
NPN
250 mW
SOT-23
(TO-236)
0.01 g
Maximum ratings (TA = 25°C)
Collector-Emitter-volt. - Kollektor-Emitter-Spannung B open VCEO
Collector-Base-voltage - Kollektor-Basis-Spannung
E open
VCBO
Emitter-Base-voltage - Emitter-Basis-Spannung
C open
VEBO
Power dissipation â Verlustleistung
Ptot
Collector current â Kollektorstrom (dc)
IC
Base current â Basisstrom
IB
Peak Base current â Basis-Spitzenstrom
IBM
Junction temperature â Sperrschichttemperatur
Tj
Storage temperature â Lagerungstemperatur
TS
Grenzwerte (TA = 25°C)
MMBTA05
MMBTA06
60 V
80 V
60 V
80 V
4V
250 mW 1)
500 mA
100 mA
200 mA
-55...+150°C
-55â¦+150°C
Characteristics (Tj = 25°C)
Collector-Base cutoff current â Kollektorreststrom
IE = 0, VCB = 60 V
IE = 0, VCB = 80 V
Emitter-Base cutoff current â Emitterreststrom
MMBTA05
MMBTA06
IC = 0, VEB = 4 V
Collector saturation voltage â Kollektor-Sättigungsspannung 2)
IC = 100 mA, IB = 10 mA
Base saturation voltage â Basis-Sättigungsspannung 2)
IC = 100 mA, IB = 10 mA
ICB0
ICB0
IEB0
VCEsat
VBEsat
Kennwerte (Tj = 25°C)
Min.
Typ.
Max.
â
â
100 nA
â
â
100 nA
â
â
100 nA
â
â
250 mV
â
â
1.2 V
1 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
2 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ⤠2% â Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ⤠2%
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
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