MMBT7002K Datasheet, PDF (1/2 Pages) SEMTECH ELECTRONICS LTD. – N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

MMBT7002K
MMBT7002K
N
N-Channel Enhancement Mode FET with protected Gate
N-Kanal FET mit Gateschutzdiode – Anreicherungstyp
Version 2011-02-01
2.9 ^±0.1
1.1
0.4
3
Type
Code
1
2
1.9
Dimensions - Maße [mm]
1=G 2=S 3=D
Power dissipation – Verlustleistung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
N
350 mW
SOT-23
(TO-236)
0.01 g
Maximum ratings (TA = 25°C)
Drain-Source-voltage – Drain-Source-Spannung
VDSS
Gate-Source-voltage – Gate-Source-Spannung
dc
ESD
VGSS
VGSS
Power dissipation – Verlustleistung
Ptot
Drain current continuos – Drainstrom (dc)
ID
Drain current pulsed – Drainstrom gepulst
tp < 10 µs
IDM
Operating Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Tj
Storage temperature – Lagerungstemperatur
TS
Grenzwerte (TA = 25°C)
MMBT7002K
60 V
± 20 V
± 2 kV
350 mW
115 mA
800 mA
150°C
-55…+150°C
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
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