MMBT5550 Datasheet, PDF (1/2 Pages) Zowie Technology Corporation – HIGH VOLTAGE TRANSISTOR NPN SILICON

MMBT5550 / MMBT5551
MMBT5550 / MMBT5551
NPN
Surface Mount General Purpose Si-Epi-Planar Transistors
Si-Epi-Planar Universaltransistoren für die Oberflächenmontage
Version 2006-05-09
2.9 ^±0.1
1.1
0.4
3
Type
Code
1
2
1.9
Dimensions - Maße [mm]
1=B 2=E 3=C
Power dissipation – Verlustleistung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
NPN
250 mW
SOT-23
(TO-236)
0.01 g
Maximum ratings (TA = 25°C)
Grenzwerte (TA = 25°C)
MMBT5550 MMBT5551
Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung B open VCEO
140 V
160 V
Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung E open VCBO
160 V
180 V
Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung
Power dissipation – Verlustleistung
C open
VEBO
Ptot
6V
250 mW ¹)
Collector current – Kollektorstrom (dc)
IC
600 mA
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
-55...+150°C
TS
-55…+150°C
Characteristics (Tj = 25°C)
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis ²)
IC = 1 mA, VCE = 5 V
MMBT5550 hFE
MMBT5551 hFE
IC = 10 mA, VCE = 5 V
MMBT5550 hFE
MMBT5551 hFE
IC = 50 mA, VCE = 5 V
MMBT5550 hFE
MMBT5551 hFE
Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Emitter-Sättigungsspg. ²)
IC = 10 mA, IB = 1 mA
MMBT5550 VCEsat
MMBT5551 VCEsat
IC = 50 mA, IB = 5 mA
MMBT5550 VCEsat
MMBT5551 VCEsat
Kennwerte (Tj = 25°C)
Min.
Typ.
Max.
60
–
–
80
–
–
60
–
250
80
–
250
20
–
–
30
–
–
–
–
0.15 V
–
–
0.15 V
–
–
0.25 V
–
–
0.20 V
1 Mounted on P.C. board with 3 mm² copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm² Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
2 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1