MMBT4401_15 Datasheet, PDF (1/2 Pages) Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd – NPN Transistors

MMBT4401
MMBT4401
NPN
Surface Mount General Purpose Si-Epi-Planar Transistors
Si-Epi-Planar Universaltransistoren für die Oberflächenmontage
Version 2015-05-12
0.4+0.1
-0.05
2.9 ^±0.1
3
Type
Code
1
2
1.1+0.1
-0.2
1.9^±0.1
Dimensions - Maße [mm]
1=B 2=E 3=C
Power dissipation – Verlustleistung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
NPN
250 mW
SOT-23
(TO-236)
0.01 g
Maximum ratings (TA = 25°C)
Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung B open VCEO
Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung
E open
VCBO
Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung
C open
VEBO
Power dissipation – Verlustleistung
Ptot
Collector current – Kollektorstrom (dc)
IC
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Tj
Storage temperature – Lagerungstemperatur
TS
Grenzwerte (TA = 25°C)
MMBT4401
40 V
60 V
6V
250 mW ¹)
600 mA
-55...+150°C
-55…+150°C
Characteristics (Tj = 25°C)
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis ²)
IC = 0.1 mA, VCE = 1 V
IC = 1 mA, VCE = 1 V
IC = 10 mA, VCE = 1 V
IC = 150 mA, VCE = 1 V
IC = 500 mA, VCE = 2 V
h-Parameters at/bei VCE = 10 V, IC = 1 mA, f = 1 kHz
Small signal current gain – Kleinsignal-Stromverstärkung
Input impedance – Eingangs-Impedanz
Output admittance – Ausgangs-Leitwert
Reverse voltage transfer ratio – Spannungsrückwirkung
Kennwerte (Tj = 25°C)
Min.
Typ.
Max.
hFE
20
–
–
hFE
40
–
–
hFE
80
–
–
hFE
100
–
300
hFE
40
–
–
hfe
40
–
hie
1 kΩ
–
hoe
1 µS
–
hre
0.1*10^-4
–
500
15 kΩ
30 µS
8*10^-4
1 Mounted on P.C. board with 3 mm² copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm² Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
2 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
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