MMBT3906 Datasheet, PDF (1/2 Pages) NXP Semiconductors – PNP switching transistor

MMBT3906
MMBT3906
PNP
Surface Mount Si-Epi-Planar Switching Transistors
Si-Epi-Planar Schalttransistoren für die Oberflächenmontage
Version 2006-10-17
2.9 ^±0.1
1.1
0.4
3
Type
Code
1
2
1.9
Dimensions - Maße [mm]
1=B 2=E 3=C
Power dissipation – Verlustleistung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
PNP
250 mW
SOT-23
(TO-236)
0.01 g
Maximum ratings (TA = 25°C)
Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung
Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung
Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung
Power dissipation – Verlustleistung
Collector current – Kollektorstrom (dc)
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
B open
E open
C open
- VCEO
- VCBO
- VEBO
Ptot
- IC
Tj
TS
Grenzwerte (TA = 25°C)
MMBT3906
40 V
40 V
5V
250 mW ¹)
200 mA
-55...+150°C
-55…+150°C
Characteristics (Tj = 25°C)
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis ²)
- IC = 0.1 mA, - VCE = 1 V
- IC = 1 mA, - VCE = 1 V
- IC = 10 mA, - VCE = 1 V
- IC = 50 mA, - VCE = 1 V
- IC = 100 mA, - VCE = 1 V
h-Parameters at/bei - VCE = 10 V, - IC = 1 mA, f = 1 kHz
Small signal current gain – Kleinsignal-Stromverstärkung
Input impedance – Eingangs-Impedanz
Output admittance – Ausgangs-Leitwert
Reverse voltage transfer ratio – Spannungsrückwirkung
Kennwerte (Tj = 25°C)
Min.
Typ.
Max.
hFE
40
–
–
hFE
80
–
–
hFE
100
–
300
hFE
60
–
–
hFE
30
–
–
hfe
100
–
400
hie
2 kΩ
–
12 kΩ
hoe
3 µS
–
60 µS
hre
0.1*10^-4
–
10*10^-4
1 Mounted on P.C. board with 3 mm² copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm² Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
2 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
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