MMBD4448SDW Datasheet, PDF (1/2 Pages) Diotec Semiconductor – Bridge Configuration

MMBD4448SDW
MMBD4448SDW
Fast Switching Surface Mount Si-Planar Diodes – Bridge Configuration
Schnelle Si-Planar-Dioden für die Oberflächenmontage – Brückenkonfiguration
Version 2015-02-23
Power dissipation – Verlustleistung
200 mW
2^±0.1
2 x 0.65
654
Type
Code
123
2.4
0.9^±0.1
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Plastic case – Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
100 V
SOT-363
0.01 g
Dimensions - Maße [mm]
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Maximum ratings (TA = 25°C)
Power dissipation − Verlustleistung
Max. average forward current – Dauergrenzstrom (dc)
Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom
Non repetitive peak forward surge current
Stoßstrom-Grenzwert
tp ≤ 1 µs
Repetitive peak reverse voltage – Periodische Spitzensperrspannung
Reverse voltage – Sperrspannung
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Grenzwerte (TA = 25°C)
MMBD4448SDW
Ptot
200 mW ¹)
IFAV
150 mA ¹)
IFRM
300 mA ¹)
IFSM
0.5 A
VRRM
100 V
VR
80 V
Tj
-55...+150°C
TS
-55…+150°C
Characteristics (Tj = 25°C)
Forward voltage ²)
Durchlass-Spannung ²)
Leakage current
Sperrstrom
Tj = 25°C
Tj = 150°C
Max. junction capacitance – Max. Sperrschichtkapazität
VR = 0 V, f = 1 MHz
Reverse recovery time – Sperrverzug
IF = 10 mA über/through IR = 10 mA bis/to IR = 1 mA
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
IF = 5 mA
IF = 10 mA
IF = 100 mA
IF = 150 mA
VR = 80 V
VR = 20 V
VR = 75 V
VR = 25 V
Kennwerte (Tj = 25°C)
VF
< 720 mV
VF
< 855 mV
VF
< 1.0 V
VF
< 1.25 V
IR
< 100 nA
IR
< 25 nA
IR
< 50 µA
IR
< 30 µA
CT
4 pF
trr
< 4 ns
RthA
< 620 K/W ¹)
1 Mounted on P.C. board with 3 mm² copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm² Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
2 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
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