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MBR360 Datasheet, PDF (1/2 Pages) Compact Technology Corp. – SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
MBR360
MBR360
Schottky Barrier Rectifier Diodes
Schottky-Gleichrichterdioden
IFAV = 3 A
VF < 0.74 V
Tjmax = 150°C
VRRM = 60 V
IFSM = 70/80 A
Version 2015-09-16
~ DO-201
Ø 4.5+-00..13
Typical Applications
Output Rectification,
Power Supplies, Polarity Protection,
Free-wheeling diodes
Commercial grade 1)
Features
High forward surge current
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
Typische Anwendungen
Ausgangsgleichrichtung,
Stromversorgungen, Verpolschutz
Freilaufdioden
Standardausführung 1)
Besonderheiten
Hohe Stoßstromfestigkeit
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien 1)
Mechanical Data 1)
Mechanische Daten 1)
Taped in Ammo Pack
1700
Gegurtet in Ammo Pack
Ø 1.2±0.05
Weight approx.
0.8 g
Gewicht ca.
Case material
UL 94V-0
Gehäusematerial
Solder & assembly conditions
260°C/10s
Löt- und Einbaubedingungen
Dimensions - Maße [mm]
MSL = N/A
Maximum ratings and characteristics 2)
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
MBR360
60
60
Grenz- und Kennwerte 2)
Forward voltage
Durchlass-Spannung
VF [V]
IF = 3 A
< 0.74
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing, Grenzlastintegral, t < 10 ms
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
TA = 75°C
IFAV
f > 15 Hz
IFRM
TA = 25°C
IFSM
TA = 25°C
i2t
Tj
TS
3 A 3)
14 A 3)
70/80 A
25 A2s
-50...+150°C
-50...+150°C
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 Tj = 25°C unless otherwise specified – Tj = 25°C wenn nicht anders angegeben
3 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
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