LS4148_07 Datasheet, PDF (1/2 Pages) Diotec Semiconductor – Surface Mount Small Signal Diodes

LS4148, LS4448
LS4148, LS4448
Surface Mount Small Signal Diodes
Kleinsignal-Dioden für die Oberflächenmontage
Version 2006-10-30
Power dissipation
Verlustleistung
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Glass case Quadro-MiniMELF
Glasgehäuse Quadro-MiniMELF
Weight approx.
Gewicht ca.
Dimensions - Maße [mm]
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
500 mW
100 V
~ SOD-80
0.04 g
Maximum ratings (TA = 25°C)
Power dissipation − Verlustleistung
Max. average forward current – Dauergrenzstrom (dc)
Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom
Non repetitive peak forward surge current
Stoßstrom-Grenzwert
tp ≤ 1 s
tp ≤ 1 µs
Reverse voltage – Sperrspannung
Repetitive peak reverse voltage – Periodische Spitzensperrspannung
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Grenzwerte (TA = 25°C)
LS4148, LS4448
Ptot
500 mW ¹)
IFAV
150 mA ¹)
IFRM
300 mA ¹)
IFSM
500 mA ¹)
IFSM
2A
VR
75 V
VRRM
100 V
Tj
-55...+175°C
TS
-55…+175°C
Characteristics (Tj = 25°C)
Forward voltage
Durchlass-Spannung
LS4148
LS4448
Leakage current – Sperrstrom ²)
Leakage current – Sperrstrom, Tj = 125°C ²)
Max. junction capacitance – Max. Sperrschichtkapazität
VR = 0 V, f = 1 MHz
Reverse recovery time – Sperrverzug
IF = 10 mA über/through IR = 10 mA bis/to IR = 1 mA
IF = 50 mA
IF = 5 mA
IF = 100 mA
VR = 20 V
VR = 75 V
VR = 20 V
VR = 75 V
Kennwerte (Tj = 25°C)
VF
< 1.0 V
VF
0.62...0.72 V
VF
<1V
IR
< 25 nA
IR
< 5 µA
IR
< 30 µA
IR
< 50 µA
CT
4 pF
trr
< 4 ns
1 Mounted on P.C. board with 3 mm² copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm² Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
2 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
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