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GBI35A_16 Datasheet, PDF (1/2 Pages) Diotec Semiconductor – Single Phase Bridge Rectifier
GBI35A ... GBI35M
GBI35A ... GBI35M
Single Phase Bridge Rectifier
Einphasen-Brückengleichrichter
Version 2016-06-28
GBI
30 x 20 x 3.6
30±0.2
Type
Typ
3.6±0.2
4.6±0.2
Typical Application
50/60 Hz Mains Rectification,
Power Supplies
Commercial grade 1)
Features
For free-standing or
heatsink assembly
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
Mechanical Data 1)
2.2
2.7±0.2
Packed in cardboard trays
1.0
10
2x7.5
0.8
Weight approx.
Case material
Dimensions - Maße [mm]
Solder & assembly conditions
IFAV =
VF <
Tjmax =
35 A
1.1 V
150°C
VRRM = 50...1000 V
IFSM = 320/350 A
trr ~ 1500 ns
Typische Anwendung
50/60 Hz Netzgleichrichtung,
Stromversorgungen
Standardausführung 1)
Besonderheit
Montage freistehend oder
auf Kühlkörper
RoHS
Pb
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien 1)
Mechanische Daten 1)
500
Verpackt in Einlagekartons
7g
Gewicht ca.
UL 94V-0
Gehäusematerial
260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen
MSL N/A
Maximum ratings 2)
Type
Typ
GBI35A
GBI35B
GBI35D
GBI35G
GBI35J
GBI35K
GBI35M
Max. alternating input voltage
Max. Eingangswechselspannung
VVRMS [V] 3)
35
70
140
280
420
560
700
Grenzwerte 2)
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V] 4)
50
100
200
400
600
800
1000
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current, 50/60 Hz (10/8.3 ms) half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz (10/8.3 ms) Sinus-Halbwelle
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Admissible torque for mounting
Zulässiges Anzugsdrehmoment
f > 15 Hz
Tj = 25°C
Tj = 25°C
IFRM
70 A 5)
IFSM
320/350 A
i2t
512 A2s
Tj
-50...+150°C
TS
-50...+150°C
M3
7 ± 10% lb.in.
0.8 ± 10% Nm
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 Tj = 25°C unless otherwise specified – Tj = 25°C wenn nicht anders angegeben
3 Eventual superimposed voltage peaks must not exceed VRRM
Evtl. überlagerte Spannungsspitzen dürfen VRRM nicht überschreiten
4 Valid per diode – Gültig pro Diode
5 Valid, if leads are kept at ambient temperature TA = 50°C at a distance of 5 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur TA = 50°C gehalten werden
1
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