GBI35A_14 Datasheet, PDF (1/2 Pages) Diotec Semiconductor – Silicon-Bridge-Rectifier

GBI35A ... GBI35M
Version 2014-08-09
30^±0.2
Type
Typ
3.6^±0.2
2.2
2.7 ^±0.2
1.0
10
2x7.5
0.8
Dimensions - Maße [mm]
GBI35A ... GBI35M
Silicon-Bridge-Rectifiers
Silizium-Brückengleichrichter
4.6^±0.2
Nominal current
35 A
Nennstrom
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
50...1000 V
Plastic case
Kunststoffgehäuse
30 x 3.6 x 18 [mm]
Weight approx. – Gewicht ca.
7g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging bulk
Standard Lieferform lose im Karton
Maximum ratings
Type
Typ
GBI35A
GBI35B
GBI35D
GBI35G
GBI35J
GBI35K
GBI35M
Max. alternating input voltage
Max. Eingangswechselspannung
VVRMS [V]
35
70
140
280
420
560
700
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Admissible torque for mounting
Zulässiges Anzugsdrehmoment
Grenzwerte
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V] ¹)
50
100
200
400
600
800
1000
f > 15 Hz
TA = 25°C
TA = 25°C
M3
IFRM
80 A ²)
IFSM
400/450 A
i²t
800 A²s
Tj
-50...+150°C
TS
-50...+150°C
7 ± 10% lb.in.
0.8 ± 10% Nm
1 Valid per diode – Gültig pro Diode
2 Valid, if leads are kept to ambient temperature TA = 50°C at a distance of 5 mm from case
Gültig, wenn die Anschlüsse in 5 mm vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur TA = 50°C gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
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