FX2000A_15 Datasheet, PDF (1/2 Pages) Diotec Semiconductor – Superfast Silicon Rectifier Diodes

FX2000A ... FX2000G
FX2000A ... FX2000G
Superfast Silicon Rectifier Diodes
Superschnelle Silizium-Gleichrichterdioden
Version 2013-06-28
Nominal Current
Nennstrom
Ø 8^±0.1
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx.
Gewicht ca.
Ø 1.6^±0.05
Dimensions - Maße [mm]
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
20 A
50...400 V
Ø 8 x 7.5 [mm]
2.0 g
Maximum ratings
Type
Typ
FX2000A
FX2000B
FX2000D
FX2000F
FX2000G
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
50
100
200
300
400
Grenzwerte
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
50
100
200
300
400
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb
Storage temperature – Lagerungstemperatur
TA = 50°C
f > 15 Hz
TA = 25°C
TA = 25°C
IFAV
20 A ¹)
IFRM
130 A ¹)
IFSM
650/715 A
i²t
2112 A²s
Tj
-50...+150°C
Tj
+200°C
TS
-50...+175°C
1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
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