FT2000AA_10 Datasheet, PDF (1/2 Pages) Diotec Semiconductor – Superfast Silicon Rectifiers - Single Diode / Two Polarities

FT2000AA ... FT2000KG
FT2000AA ... FT2000KG
Superfast Silicon Rectifiers – Single Diode / Two Polarities
Superschnelle Silizium-Gleichrichter – Einzeldiode / Zwei Polaritäten
Version 2010-03-31
1.2 ^±0.2
4.5^±0.2
2.67^±0.2
0.42 ^±0.4
10.1^±0.3
Ø 3.8^±0.2
4
Type
Typ
13
1.3^±0.1
0.8^±0.2
5.08^±0.1
4
A
13
4_K
13
Dimensions - Maße [mm]
Nominal current
Nennstrom
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx.
Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging in tubes
Standard Lieferform in Stangen
20 A
50...400 V
TO-220AC
1.8 g
Maximum ratings and Characteristics
Grenz- und Kennwerte
Type / Typ
Polarity / Polarität
K
A
(Standard) (Reverse)
Repet. peak reverse voltage Surge peak reverse volt.
Period. Spitzensperrspanng. Stoßspitzensperrspanng.
VRRM [V]
VRSM [V]
Forward voltage
Durchlass-Spannung
VF [V] ¹)
IF = 5 A IF = 20 A
FT2000KA FT2000AA
50
50
< 0.84
< 0.96
FT2000KB FT2000AB
100
100
< 0.84
< 0.96
FT2000KD FT2000AD
200
200
< 0.84
< 0.96
FT2000KG FT2000AG
400
400
< 0.84
< 0.96
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb
Storage temperature – Lagerungstemperatur
TC = 100°C
f > 15 Hz
TA = 25°C
TA = 25°C
IFAV
20 A
IFRM
80 A ²)
IFSM
375/390 A
i²t
680 A²s
Tj
-50...+150°C
Tj
+200°C
TS
-50...+175°C
1 Tj = 25°C
2 Max. temperature of the case TC = 100°C – Max. Temperatur des Gehäuses TC = 100°C
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
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