FT2000A Datasheet, PDF (1/2 Pages) Diotec Semiconductor – Fast Silicon Rectifiers

Fast Silicon Rectifiers
Version 2004-06-24
1/Tab = Cathode 2 = Anode
FT 2000 A … FT 2000 G
Schnelle Silizium Gleichrichter
Nominal current – Nennstrom
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging in tubes
Standard Lieferform in Stangen
20 A
50…400 V
TO-220AC
2.2 g
Maximum ratings
Type
Typ
FT 2000 A
FT 2000 B
FT 2000 D
FT 2000 G
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
V_RRM [V]
50
100
200
400
Grenzwerte
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
V_RSM [V]
50
100
200
400
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
Preliminary ^{Repetitive peak forward current}
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
T_C = 100°C
I_FAV
20 A
f > 15 Hz
I_FRM
80 A ¹)
Vorläufig ^{TA = 25°C}
I_FSM
375 A
Peak forward surge current, 60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 60 Hz Sinus-Halbwelle
T_A = 25°C
I_FSM
390 A
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
T_A = 25°C
i²t
680 A²s
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
T_j – 50…+150°C
T_S – 50…+175°C
1_{) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case}
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
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