FE1A_13 Datasheet, PDF (1/2 Pages) Diotec Semiconductor – Superfast Switching Silicon-Rectifier Diodes

FE1A ... FE1G
FE1A ... FE1G
Superfast Switching Silicon-Rectifier Diodes
Superschnelle Silizium-Gleichrichterdioden
Version 2014-10-06
Nominal current
Nennstrom
Ø 3^±0.05
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx.
Gewicht ca.
Ø 0.8^±0.05
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Dimensions - Maße [mm]
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
1A
50...400 V
DO-15
(DO-204AC)
0.4 g
Maximum ratings
Type
Typ
FE1A
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
50
FE1B
100
FE1D
200
FE1G
400
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
50
100
200
400
Grenzwerte
Forward voltage
Durchlass-Spannung
VF at/bei IF = 1 A
< 0.98
< 0.98
< 0.98
< 1.30
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
TA = 75°C
IFAV
f > 15 Hz
IFRM
TA = 25°C
IFSM
TA = 25°C
i²t
Tj
TS
1 A ¹)
10 A ¹)
30/33 A
4.5 A²s
-50...+175°C
-50...+175°C
1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
1
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