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ER1A_15 Datasheet, PDF (1/2 Pages) Diotec Semiconductor – Superfast Recovery SMD Rectifier Diodes
ER1A ... ER1M
ER1A ... ER1M
Superfast Recovery SMD Rectifier Diodes
SMD-Gleichrichterdioden mit superschnellem Sperrverzug
IFAV = 1 A
VF1 < 1.0 V
Tjmax = 150°C
VRRM = 50...1000 V
IFSM = 30 A
trr < 35...75 ns
Version 2015-10-22
~ SMA / ~ DO-214AC
5± 0.2
Typical Applications
Rectification of higher frequencies,
High speed switching
Commercial grade 1)
Typische Anwendungen
Gleichrichtung hoher Frequenzen
Schnelles Schalten
Standardausführung 1)
1± 0.3
Type
Typ
0.15
Features
VRRM up to 1000 V
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
Mechanical Data 1)
Taped and reeled
Weight approx.
RoHS
Pb
7500 / 13“
0.07 g
Besonderheiten
VRRM bis zu 1000 V
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien 1)
Mechanische Daten 1)
Gegurtet auf Rolle
Gewicht ca.
4.5± 0.3
Case material
UL 94V-0
Gehäusematerial
Dimensions - Maße [mm]
Solder & assembly conditions
260°C/10s
MSL = 1
Löt- und Einbaubedingungen
Maximum ratings 2)
Type
Typ
ER1A
ER1B
ER1D
ER1G
ER1J
ER1K
ER1M
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
50
100
200
400
600
800
1000
Grenzwerte 2)
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
50
100
200
400
600
800
1000
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
TT = 100°C
IFAV
f > 15 Hz
IFRM
TA = 25°C
IFSM
TA = 25°C
i2t
Tj
TS
1A
6 A 3)
30 A
4.5 A2s
-50...+150°C
-50...+150°C
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 Tj = 25°C unless otherwise specified – Tj = 25°C wenn nicht anders angegeben
3 Max. temperature of the terminals TT = 100°C – Max. Temperatur der Anschlüsse TT = 100°C
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
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