DD810 Datasheet, PDF (1/2 Pages) Diotec Semiconductor – Silicon Twin Rectifiers

DD810
Version 2006-02-17
10.9^±0.3
Ø 3.9
_
15.2^±0.2
Type
6.3^±0.2
1.0
Dimensions - Maße [mm]
DD810
Silicon Twin Rectifiers
Silizium-Doppeldioden
Nominal current
10 A
Nennstrom
Alternating input voltage
Eingangswechselspannung
1000 V
Plastic case
Kunststoffgehäuse
15.2 x 15.2 x 6.3 [mm]
Weight approx.
Gewicht ca.
3.5 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging bulk
Standard Lieferform lose im Karton
Maximum ratings
Type
Typ
DD810
Max. alternating input voltage
Max. Eingangswechselspannung
VVRMS [V]
1000
Grenzwerte
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V] ¹)
1000
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom mit R-Last
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
per diode
IFAV
pro Diode
TA = 25°C
IFSM
TA = 25°C
i²t
Tj
TS
10 A ²)
160/190 A
160 A²s
-50...+150°C
-50...+150°C
Characteristics
Forward voltage – Durchlass-Spannung
Leakage current – Sperrstrom
Thermal resistance junction to case
Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse
Admissible torque for mounting
Zulässiges Anzugsdrehmoment
Tj = 25°C
Tj = 25°C
IF = 8 A
VR = VRRM
VF
IR
RthJC
M4
Kennwerte
< 1.1 V ¹)
< 10 µA
< 3.3 K/W
9 ± 10% lb.in.
1 ± 10% Nm
1 Per diode – Pro Diode
2 Valid, if leads are kept to ambient temperature TA = 50°C at a distance of 5 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur TA = 50°C gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
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