DBI25005A_13 Datasheet, PDF (1/2 Pages) Diotec Semiconductor – Three-Phase Si-Bridge-Rectifiers

DBI25-04A ... DBI25-16A
DBI25-04A ... DBI25-16A
Three-Phase Si-Bridge-Rectifiers
Dreiphasen-Si-Brückengleichrichter
Version 2013-06-26
Nominal current
Nennstrom
35^±0.2
5.5^±0.2
4.0^±0.2
Repetitive peak reverse voltage
Type
Periodische Spitzensperrspannung
Plastic case – Plastikgehäuse
Pinning – Anschlussfolge
3.5
2.0
1.0
4x7.5
1.3
4 ^±0.2
0.5
Dimensions - Maße [mm]
Weight approx. – Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging in tubes
Standard Lieferform in Stangen
40 A (85°C)
25 A (115°C)
400...1600 V
35 x 25 x 4 [mm]
– ~~~ +
9g
Features
Solderable terminals for (automatic) PCB
assembly
Enlarged creepage and clearance for direct
heatsink assembly
UL Recognized Product – File E175067
Vorteile
Lötbare Anschlüsse für (automatisierte)
Leiterplattenmontage
Vergrößerte Luft- und Kriechstrecken für
direkte Kühlkörpermontage
UL anerkanntes Produkt – File Nr. E175067
Maximum ratings and Characteristics
Type
Typ
Max. alternating input voltage
Max. Eingangswechselspg.
VVRMS [V]
DBI25-04A
280
DBI25-08A
560
DBI25-12A
800
DBI25-16A
1000
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspg.
VRRM [V] ¹)
400
800
1200
1600
Grenz- und Kennwerte
Surge peak reverse volt.
Stoßpitzensperrspannung
VRSM [V] ¹)
500
900
1300
1700
Max. current without cooling – Dauergrenzstrom ohne Kühlung
Max. current mounted on heatsink
Dauergrenzstrom bei Kühlkörpermontage
(R or C load)
Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing, t < 10 ms – Grenzlastintegral, t < 10 ms
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Operating temperature – Betriebstemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
TA = 50°C
TC = 85°C
TC = 115°C
TC = 130°C
TC = 145°C
f > 15 Hz
TA = 25°C
TA = 25°C
IFAV
4.0 A ²)
IFAV
40 A
IFAV
25 A
IFAV
15 A
IFAV
6A
IFRM
74 A ²)
IFSM
370/390 A
i²t
680 A²s
Tj
-50...+175°C
Top
150°C
TS
-50...+150°C
1 Valid per diode – Gültig pro Diode
2 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 5 mm from case
Gültig, wenn die Anschlüsse in 5 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
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