DB3 Datasheet, PDF (1/2 Pages) STMicroelectronics – TRIGGER DIODES

DB 3, DB 4
Bidirectional Si-Trigger-Diodes (DIAC)
Bidirektionale Si-Trigger-Dioden (DIAC)
Dimensions / Maße in mm
Breakover voltage
Durchbruchsspannung
Peak pulse current
Max. Triggerimpuls
Glass case
Glasgehäuse
Weight approx.
Gewicht ca.
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
28 ... 45 V
±2A
DO-35
SOD-27
0.13 g
see page 16
siehe Seite 16
Maximum ratings
Power dissipation – Verlustleistung
Peak pulse current (120 pulse repetition rate)
Max. Triggerstrom (120 Impulse)
T_A = 50 /C
t_P # 10 :s
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Grenzwerte
P_tot
150 mW ¹)
I_PM
± 2 A ¹)
T_j – 40…+100/C
T_S – 40…+150/C
Characteristics
Breakover voltage
Durchbruchspannung
dV/dt = 10V/:s DB 3
DB 4
Breakover current – Durchbruchstrom
Asymmetry of breakover voltage
Unsymmetrie der Durchbruchspannug
V = 98 % V_BO
*V_(BO)F - V_(BO)R*
Foldback voltage – Spannungs-Rücksprung
)I = I_BO to/auf I_F = 10 mA
dV/dt = 10V/:s
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
Kennwerte
V_BO
V_BO
I_BO
)V_BO
28 ... 36 V
35 ... 45 V
< 200 :A
< 3.8 V
)V_F/R
>5V
R_thA < 60 K/W ¹)
1_{) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case}
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
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01.10.2002