D60VC20_06 Datasheet, PDF (1/2 Pages) Diotec Semiconductor – Silicon-Twin-Rectifiers

D60VC20 ... D60VC120
Version 2005-04-26
6.3
0.8
Type
24.3^±0.2
Ø 5.2
Dimensions - Maße [mm]
D60VC20 ... D60VC120
Silicon-Twin-Rectifiers
Silizium-Doppeldiode
Nominal current
60 A
Nennstrom
Alternating input voltage
Eingangswechselspannung
60...800 V
Plastic case with alu-bottom
Kunststoffgehäuse mit Alu-Boden
28.5 x 28.5 x 10 [mm]
Weight approx.
23 g
Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging bulk
Standard Lieferform lose im Karton
Maximum ratings
Type
Typ
D60VC20
D60VC40
D60VC60
D60VC80
D60VC100
D60VC120
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
200
400
600
800
1000
1200
Grenzwerte
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V] ¹)
200
400
600
800
1000
1200
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
Isolation voltage terminals to case
Isolationsspannung Anschlüsse zum Gehäuse
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
per diode
IFAV
'pro Diode
f > 15 Hz
IFRM
TA = 25°C
IFSM
TA = 25°C
i²t
t = 1 min
VISO
Tj
TS
60 A ²)
120 A ²)
450/500 A
1000A²s
≥ 2000 V
-50...+150°C
-50...+150°C
1 Per diode – Pro Diode
2 Max. case temperature TC = 100°C – Max. Gehäusetemperatur TC = 100°C
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
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