BYZ50A22_07 Datasheet, PDF (1/2 Pages) Diotec Semiconductor – Silicon-Protectifiers with TVS characteristic -High Temperature Diodes

BYZ50A22 ... BYZ50A47, BYZ50K22 ... BYZ50K47
BYZ50A22 ... BYZ50A47, BYZ50K22 ... BYZ50K47
Silicon-Protectifiers with TVS characteristic – High Temperature Diodes
Silizium-Schutzgleichrichter mit Begrenzereigenschaft – Hochtemperatur-Dioden
Version 2006-04-27
Ø 12.75
Ø 11^±0.1
Nominal Current
Nennstrom
Nominal breakdown voltage
Nominale Abbruchspannung
50 A
22 ... 47 V
Metal press-fit case with plastic cover
1.3
Metall-Einpressgehäuse mit Plastik-Abdeckung
Weight approx.
10 g
Gewicht ca.
Compound has classification UL94V-0
Vergussmasse nach UL94V-0 klassifiziert
Ø 13^±01
Dimensions - Maße [mm]
Standard packaging: bulk
Standard Lieferform: lose im Karton
Maximum ratings
Type / Typ
Wire to / Draht an
Anode
Cathode
BYZ50A22 BYZ50K22
BYZ50A27 BYZ50K27
BYZ50A33 BYZ50K33
BYZ50A39 BYZ50K39
BYZ50A47 BYZ50K47
Breakdown voltage
Abbruchspannung
IT = 100 mA
VBRmin [V]
VBRmax [V]
19.8
24.2
24.3
29.7
29.7
36.3
35.1
42.9
42.3
51.7
Reverse voltage
Sperrspannung
IR = 5 µA
VR [V]
> 17.8
> 21.8
> 26.8
> 31.6
> 38.1
Grenzwerte
Max. clamping voltage
Max. Begrenzerspanng.
at / bei Ipp, tp = 1 ms
VC [V]
Ipp [A]
31.9
235
39.1
192
47.7
157
56.4
133
67.8
111
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Max. junction temperature in case of “Load-Dump“
Max. Sperrschichttemperatur bei “Load-Dump“
TC = 150°C IFAV
f > 15 Hz
IFRM
TA = 25°C
IFSM
TA = 25°C
i²t
Tj
TS
Tjmax
50 A
80 A ¹)
400/450 A
800 A²s
-50...+215°C
-50...+215°C
+280°C
1 Max. case temperature TC = 150°C – Max. Gehäusetemperatur TC = 150°C
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
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