BYW27-50_09 Datasheet, PDF (1/2 Pages) Diotec Semiconductor – Silicon Rectifier Diodes - Silizium-Gleichrichterdioden

BYW27-50 ... BYW27-1000
BYW27-50 ... BYW27-1000
Silicon Rectifier Diodes – Silizium-Gleichrichterdioden
Version 2009-10-16
Nominal current
Nennstrom
Ø 2.6^-0.1
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx.
Gewicht ca.
Ø 0.77^±0.07
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Dimensions - Maße [mm]
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
1A
50...1000 V
DO-41
DO-204AL
0.4 g
Maximum ratings
Type
Typ
BYW27-50
BYW27-100
BYW27-200
BYW27-400
BYW27-600
BYW27-800
BYW27-1000
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
50
100
200
400
600
800
1000
Grenzwerte
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
50
100
200
400
600
800
1000
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
TA = 75°C
IFAV
TA = 100°C IFAV
f > 15 Hz
IFRM
TA = 25°C
IFSM
TA = 25°C
i²t
Tj
TS
1 A ¹)
0.8 A ¹)
10 A ¹)
50/55 A
12.5 A²s
-50...+175°C
-50...+175°C
1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
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