BYP60A05 Datasheet, PDF (1/2 Pages) Diotec Semiconductor – Silicon Press-Fit-Diodes High-temperature diodes

Silicon Press-Fit-Diodes
High-temperature diodes
BYP 60A05 ... BYP 60A6
BYP 60K05 ... BYP 60K6
Silizium-Einpreßdioden
Hochtemperaturdioden
Dimensions / Maße in mm
Nominal current – Nennstrom
60 A
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
50…600 V
Metal press-fit case with plastic cover
Metall-Einpreßgehäuse mit Plastik-Abdeckung
Weight approx. – Gewicht ca.
10 g
Casting compound has UL classification 94V-0
Vergußmasse UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging: bulk
Standard Lieferform: lose im Karton
Maximum ratings
Grenzwerte
Type / Typ
Wire to / Draht an
Anode
Cathode
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspanng.
V_RRM [V]
BYP 60A05
BYP 60K05
50
BYP 60A1
BYP 60K1
100
BYP 60A2
BYP 60K2
200
BYP 60A3
BYP 60K3
300
BYP 60A4
BYP 60K4
400
BYP 60A6
BYP 60K6
600
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
V_RSM [V]
60
120
240
360
480
700
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
T_C = 150/C
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz
Peak forward surge current, 50 / 60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50 / 60 Hz Sinus-Halbwelle
T_A = 25/C
Rating for fusing – Grenzlastintegral, t <10 ms
T_A = 25/C
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Maximum pressure – Maximaler Einpreßdruck
1_{) Max. case temperature TC = 150/C – Max. Gehäusetemperatur TC = 150}
80
I_FAV
60 A
I_FRM
120 A ¹)
I_FSM 450 / 500 A
i²t
1000 A²s
T_j – 50...+215 /C
T_S – 50...+215 /C
7 kN
28.02.2002