BY880-50 Datasheet, PDF (1/2 Pages) Diotec Semiconductor – Silicon Rectifier Diodes – Silizium-Gleichrichterdioden

BY880-50 ... BY880-1000
BY880-50 ... BY880-1000
Silicon Rectifier Diodes – Silizium-Gleichrichterdioden
Version 2010-08-09
Ø 5.4 ^±0.1
Nominal current
Nennstrom
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx.
Gewicht ca.
Ø 1.2 ^±0.05
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Dimensions - Maße [mm]
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
8A
50...1000 V
Ø 5.4 x 7.5 [mm]
1.0 g
Maximum ratings
Type
Typ
BY880-50
BY880-100
BY880-200
BY880-400
BY880-600
BY880-800
BY880-1000
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
50
100
200
400
600
800
1000
Grenzwerte
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
50
100
200
400
600
800
1000
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing,t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb
Storage temperature – Lagerungstemperatur
TA = 50°C
IFAV
f > 15 Hz
IFRM
TA = 25°C
IFSM
TA = 25°C
i²t
Tj
Tj
TS
8 A ¹)
80 A ¹)
400/450 A
800 A²s
-50...+175°C
+200°C
-50...+175°C
1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
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