BY396_15 Datasheet, PDF (1/2 Pages) Diotec Semiconductor – Fast Recovery Rectifier Diodes

BY396 ... BY399, RGP30K, RGP30M
BY396 ... BY399, RGP30K, RGP30M
Fast Recovery Rectifier Diodes
Gleichrichterdioden mit schnellem Sperrverzug
IFAV = 3 A
VF < 1.2 V
Tjmax = 150°C
VRRM = 100...1000 V
IFSM = 100/110 A
trr < 500 ns
Version 2015-11-19
~ DO-201
Ø 4.5⁺-00..31
Typical Application
Rectification of medium frequencies,
Snubber or Bootstrap diodes
Commercial grade ¹)
Typische Anwendung
Gleichrichtung mittlerer Frequenzen
Beschaltungs- oder Bootstrapdioden
Standardausführung ¹)
Features
High forward surge current
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals ¹)
RoHS
Pb
Besonderheit
Hohe Stoßstromfestigkeit
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien ¹)
Mechanical Data ¹)
Mechanische Daten ¹)
Taped in ammo pack
1.700
Gegurtet in Ammo-Pack
Ø 1.2^±0.05
Weight approx.
Case material
1g
UL 94V-0
Gewicht ca.
Gehäusematerial
Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen
Dimensions - Maße [mm]
MSL N/A
Maximum ratings ²)
Type
Typ
BY396
BY397
BY398
BY399
= RGP30K
RGP30M
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
100
200
400
800
1000
Grenzwerte ²)
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
100
200
400
800
1000
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing, Grenzlastintegral, t < 10 ms
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
TA = 50°C
IFAV
f > 15 Hz
IFRM
TA = 25°C
IFSM
TA = 25°C
i²t
Tj
TS
3 A ³)
20 A ³)
100/110 A
50 A²s
-50...+150°C
-50...+175°C
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 Tj = 25°C unless otherwise specified – Tj = 25°C wenn nicht anders angegeben
3 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
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