BY396_10 Datasheet, PDF (1/2 Pages) Diotec Semiconductor – Fast Silicon Rectifier Diodes – Schnelle Silizium-Gleichrichterdioden

BY396 ... BY399, RGP30K, RGP30M
BY396 ... BY399, RGP30K, RGP30M
Fast Silicon Rectifier Diodes – Schnelle Silizium-Gleichrichterdioden
Version 2010-03-30
Nominal current
Nennstrom
Ø 4.5⁺-00..13
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx.
Gewicht ca.
Ø 1.2^±0.05
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Dimensions - Maße [mm]
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
3A
100...1000 V
~ DO-201
1g
Maximum ratings
Type
Typ
BY396
BY397
BY398
BY399 =
RGP30K
RGP30M
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
100
200
400
800
1000
Grenzwerte
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
100
200
400
800
1000
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing, Grenzlastintegral, t < 10 ms
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
TA = 50°C
IFAV
f > 15 Hz
IFRM
TA = 25°C
IFSM
TA = 25°C
i²t
Tj
TS
3 A ¹)
20 A ¹)
100/110 A
50 A²s
-50...+150°C
-50...+175°C
1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1