BV4 Datasheet, PDF (1/1 Pages) Diotec Semiconductor – High Voltage Si-Rectifiers

BV4, BV6
Version 2006-04-27
Ø 3^±0.05
Ø 0.8^±0.05
Dimensions - Maße [mm]
BV4, BV6
High Voltage Si-Rectifiers
Si-Hochspannungs-Gleichrichter
Nominal current
Nennstrom
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx.
Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
100 mA
4000...6000 V
DO-15
DO-204AC
0.4 g
Maximum ratings
Type
Typ
BV4
BV6
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
4000
6000
Grenzwerte
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
4000
6000
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
TA = 50°C
IFAV
f > 15 Hz
IFRM
TA = 25°C
IFSM
TA = 25°C
i²t
Tj
TS
100 mA ¹)
3 A ¹)
15/17 A
1.1 A²s
-50...+150°C
-50...+150°C
Characteristics
Forward voltage – Durchlass-Spannung
Tj = 25°C IF = 100 mA
VF
Leakage current – Sperrstrom
Tj = 25°C VR = VRRM
IR
Thermal resistance junction to ambient air
RthA
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
Kennwerte
<5V
< 3 µA
< 60 K/W ¹)
1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1