BR100-03 Datasheet, PDF (1/2 Pages) Diotec Semiconductor – Bidirectional Si-Trigger-Diodes

BR100-03 ... BR100-04
Version 2006-04-27
Ø 2.6^-0.1
Ø 0.8^±0.05
Dimensions - Maße [mm]
BR100-03 ... BR100-04
Bidirectional Si-Trigger-Diodes (DIAC)
Bidirektionale Si-Triggerdioden (DIAC)
Breakover voltage
Durchbruchspannung
Peak pulse current
Max. Triggerimpuls
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
28 ... 45 V
±2A
DO-41
DO-204AL
0.4 g
Maximum ratings
Power dissipation
Verlustleistung
Peak pulse current (120 Hz pulse repetition rate)
Max. Triggerstrom (120 Hz Puls-Wiederholrate)
Operating Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
TA = 50°C
Ptot
tp ≤ 20 µs
IPM
Tj
TS
Grenzwerte
150 mW ¹)
± 2 A ¹)
-50...+100°C
-50...+175°C
Characteristics
Breakover voltage
Durchbruchspannung
dV/dt = 10 V/µs
Breakover current – Durchbruchstrom
Asymmetry of breakover voltage
Unsymmetrie der Durchbruchspannung
Foldback voltage – Spannungs-Rücksprung
ΔI = IBO to/auf IF = 10 mA
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
Thermal resistance junction to leads
Wärmewiderstand Sperrschicht − Anschlussdraht
BR100-03
BR100-031
BR100-04
V = 98% VBO
|V(BO)F – V(BO)R|
dV/dt = 10 V/µs
VBO
VBO
VBO
IBO
ΔVBO
ΔVF/R
RthA
RthL
Kennwerte
28 ... 36 V
30 ... 34 V
35 ... 45 V
< 50 µA
< 3.8 V
>5V
< 45 K/W ¹)
< 15 K/W
1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
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