BF720 Datasheet, PDF (1/2 Pages) NXP Semiconductors – NPN high-voltage transistors

BF 720, BF 722
High Voltage Transistors
NPN
Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
Si-Epitaxial PlanarTransistoren für die Oberflächenmontage
NPN
6.5^±0.2
3^±0.1
4
1.65
1 _0.7
2.3
2
3
3.25
Dimensions / Maße in mm
1 = B 2, 4 = C 3 = E
Power dissipation – Verlustleistung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
1.5 W
SOT-223
0.04 g
Maximum ratings (T_A = 25/C)
Collector-Emitter-voltage
B open
Collector-Base-voltage
E open
Emitter-Base-voltage
C open
Power dissipation – Verlustleistung
Collector current – Kollektorstrom (dc)
Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom
Peak Base current – Basis-Spitzenstrom
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Grenzwerte (T_A = 25/C)
BF 720
BF 722
V_CE0
V_CB0
V_EB0
P_tot
I_C
I_CM
I_BM
T_j
T_S
300 V
250 V
300 V
250 V
5V
1.5 W ¹)
100 mA
200 mA
100 mA
150/C
- 65…+ 150/C
Characteristics (T_j = 25/C)
Collector-Base cutoff current – Kollektorreststrom
I_E = 0, V_CB = 200 V
I_CB0
I_E = 0, V_CB = 200 V, T_j = 150/C
I_CB0
Emitter-Base cutoff current – Emitterreststrom
I_C = 0, V_EB = 5 V
I_EB0
Collector saturation volt. – Kollektor-Sättigungsspg. ²)
I_C = 30 mA, I_B = 5 mA
V_CEsat
Kennwerte (T_j = 25/C)
Min.
Typ.
Max.
–
–
10 nA
–
–
10 :A
–
–
50 nA
–
–
600 mV
1_{) Mounted on P.C. board with 3 mm}2 _{copper pad at each terminal}
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm² Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß
2_{) Tested with pulses tp = 300 :s, duty cycle # 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 :s, Schaltverhältnis # 2%}
10
01.11.2003