BCW60A Datasheet, PDF (1/2 Pages) Samsung semiconductor – NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

BCW60A ... BCW60D
BCW60A ... BCW60D
NPN
Surface Mount General Purpose Si-Epi-Planar Transistors
Si-Epi-Planar Universaltransistoren für die Oberflächenmontage
Version 2006-07-31
Power dissipation – Verlustleistung
2.9 ^±0.1
1.1
0.4
3
Type
Code
1
2
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
1.9
Dimensions - Maße [mm]
1=B 2=E 3=C
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
NPN
250 mW
SOT-23
(TO-236)
0.01 g
Maximum ratings (TA = 25°C)
Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung B open VCEO
Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung E open VCBO
Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung C open VEB0
Power dissipation – Verlustleistung
Ptot
Collector current – Kollektorstrom (dc)
IC
Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom
ICM
Peak Base current – Basis-Spitzenstrom
IBM
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Tj
Storage temperature – Lagerungstemperatur
TS
Grenzwerte (TA = 25°C)
BCW60A ... BCW60D
32 V
32 V
5V
250 mW ¹)
100 mA
200 mA
200 mA
-55...+150°C
-55…+150°C
Characteristics (Tj = 25°C)
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis ²⁾
VCE = 5 V, IC = 10 µA
BCW60A
hFE
BCW60B
hFE
BCW60C
hFE
BCW60D
hFE
VCE = 5 V, IC = 2 mA
BCW60A
hFE
BCW60B
hFE
BCW60C
hFE
BCW60D
hFE
VCE = 1 V, IC = 50 mA
BCW60A
hFE
BCW60B
hFE
BCW60C
hFE
BCW60D
hFE
Kennwerte (Tj = 25°C)
Min.
Typ.
Max.
20
140
–
20
200
–
40
300
–
100
460
–
120
170
220
180
250
310
250
350
460
380
500
630
50
–
–
70
–
–
90
–
–
100
–
–
1 Mounted on P.C. board with 3 mm² copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm² Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
2 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
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