BCW29_07 Datasheet, PDF (1/2 Pages) Diotec Semiconductor – Surface Mount General Purpose Si-Epi-Planar Transistors

BCW29, BCW30
BCW29, BCW30
PNP
Surface Mount General Purpose Si-Epi-Planar Transistors
Si-Epi-Planar Universaltransistoren für die Oberflächenmontage
Version 2006-07-28
2.9 ^±0.1
1.1
0.4
3
Type
Code
1
2
1.9
Dimensions - Maße [mm]
1=B 2=E 3=C
Power dissipation – Verlustleistung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
PNP
250 mW
SOT-23
(TO-236)
0.01 g
Maximum ratings (TA = 25°C)
Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung
Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung
Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung
Power dissipation – Verlustleistung
Collector current – Kollektorstrom (dc)
Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom
Peak Base current – Basis-Spitzenstrom
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
B open
E open
C open
- VCEO
- VCBO
- VEB0
Ptot
- IC
- ICM
- IBM
Tj
TS
Grenzwerte (TA = 25°C)
BCW29
BCW30
32 V
32 V
5V
250 mW ¹)
100 mA
200 mA
200 mA
-55...+150°C
-55…+150°C
Characteristics (Tj = 25°C)
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis
- VCE = 5 V, - IC = 10 µA
BCW29 hFE
BCW30 hFE
- VCE = 5 V, - IC = 2 mA
BCW29 hFE
BCW30 hFE
Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Sättigungsspannung ²)
- IC = 10 mA, - IB = 0.5 mA
- IC = 50 mA, - IB = 2.5 mA
- VCEsat
- VCEsat
Kennwerte (Tj = 25°C)
Min.
Typ.
Max.
–
90
–
–
150
–
120
–
260
215
–
500
–
80 mV 300 mV
–
150 mV
–
1 Mounted on P.C. board with 3 mm² copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm² Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
2 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
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