BC846W Datasheet, PDF (1/2 Pages) NXP Semiconductors – NPN general purpose transistors

BC 846W ... BC 850W
General Purpose Transistors
NPN
Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
Si-Epitaxial PlanarTransistoren für die Oberflächenmontage
NPN
2^±0.1
0.3
3
Type
Code
1
2
1.3
1^±0.1
Dimensions / Maße in mm
1=B 2=E 3=C
Power dissipation – Verlustleistung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
200 mW
SOT-323
0.01 g
Maximum ratings (T_A = 25/C)
Collector-Emitter-voltage
B open V_CE0
Collector-Base-voltage
E open V_CB0
Emitter-Base-voltage
C open V_EB0
Power dissipation – Verlustleistung
P_tot
Collector current – Kollektorstrom (DC)
I_C
Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom I_CM
Peak Base current – Basis-Spitzenstrom
I_BM
Peak Emitter current – Emitter-Spitzenstrom
- I_EM
Junction temperature – Sperrschichttemperatur T_j
Storage temperature – Lagerungstemperatur
T_S
Grenzwerte (T_A = 25/C)
BC 846W BC 847W BC 848W
BC 850W BC 849W
65 V
45 V
30 V
80 V
50 V
30 V
6V
5V
200 mW ¹)
100 mA
200 mA
200 mA
200 mA
150/C
- 65…+ 150/C
Characteristics (T_j = 25/C)
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis ²)
V_CE = 5 V, I_C = 10 :A
h_FE
V_CE = 5 V, I_C = 2 mA
h_FE
h-Parameters at V_CE = 5V, I_C = 2 mA, f = 1 kHz
Small signal current gain – Stromverstärkung h_fe
Input impedance – Eingangs-Impedanz
h_ie
Output admittance – Ausgangs-Leitwert
h_oe
Reverse voltage transfer ratio
Spannungsrückwirkung
h_re
Group A
Kennwerte (T_j = 25/C)
Group B
Group C
typ. 90
110...220
typ. 150
200...450
typ. 270
420...800
typ. 220
1.6...4.5 kS
18 < 30 :S
typ.1.5 *10^-4
typ. 330
3.2...8.5 kS
30 < 60 :S
typ. 2 *10^-4
typ. 600
6...15 kS
60 < 110 :S
typ. 3 *10^-4
1_{) Mounted on P.C. board with 3 mm}2 _{copper pad at each terminal}
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm² Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß
2_{) Tested with pulses tp = 300 :s, duty cycle # 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 :s, Schaltverhältnis # 2%}
12
01.11.2003