BC846S_16 Datasheet, PDF (1/2 Pages) Diotec Semiconductor – SMD General Purpose Dual NPN Transistors

BC846S ... BC849S
BC846S ... BC849S
SMD General Purpose Dual NPN Transistors
SMD Universal-NPN-Doppeltransistoren
IC = 100 mA
hFE ~ 290
Tjmax = 150°C
VCEO = 30...65 V
Ptot = 250 mW
Version 2016-04-13
SOT-363
2^±0.1
2 x 0.65
654
Type
Code
123
2.4
0.9^±0.1
Typical Applications
Signal processing,
Switching, Amplification
Commercial grade ¹)
Features
Two transistors in one package
General Purpose
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals ¹)
Typische Anwendungen
Signalverarbeitung,
Schalten, Verstärken
Standardausführung ¹)
Besonderheiten
Zwei Transistoren in einem Gehäuse
Universell anwendbar
RoHS
Pb
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien ¹
6
5
4
T1
T2
1
2
3
Mechanical Data ¹)
Taped and reeled
Weight approx.
Case material
3000 / 7“
0.01 g
UL 94V-0
Mechanische Daten ¹)
Gegurtet auf Rolle
Gewicht ca.
Gehäusematerial
T1: E1 = 1, C1 = 6, B1 = 2
T2: E2 = 4, C2 = 3, B2 = 5
Dimensions - Maße [mm]
Solder & assembly conditions
260°C/10s
MSL = 1
Löt- und Einbaubedingungen
Maximum ratings (TA = 25°C)
Grenzwerte (TA = 25°C)
Per transistor – pro Transistor
BC846S
BC847S
BC848S
BC849S
Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung
B open
VCEO
65 V
45 V
30 V
Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung
E open
VCBO
80 V
50 V
30 V
Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung
C open
VEBO
6V
5V
Power dissipation – Verlustleistung
Ptot
250 mW ²)
Collector current – Kollektorstrom (dc)
IC
100 mA
Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom
ICM
200 mA
Junction/Storage temperature – Sperrschicht-/Lagerungstemperatur
Tj/S
-55...+150°C
Characteristics (Tj = 25°C)
per transistor – pro Transistor
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis
VCE = 5 V, IC = 2 mA
Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Sättigungsspannung ³)
IC = 10 mA, IB = 0.5 mA
IC = 100 mA, IB = 5 mA
Base-Emitter-voltage – Basis-Emitter-Spannung ³)
VCE = 5 V, IC = 2 mA
VCE = 5 V, IC = 10 mA
hFE
VCEsat
VCEsat
VBE
VBE
Min.
Kennwerte (Tj = 25°C)
Typ.
Max.
200
–
450
–
–
250 mV
–
–
650 mV
580 mV
–
700 mV
–
–
770 mV
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 Mounted on P.C. board with 3 mm² copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm² Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
3 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
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