BC846S_07 Datasheet, PDF (1/2 Pages) Diotec Semiconductor – Surface Mount General Purpose Si-Epi-Planar Double-Transistors

BC846 ... BC850
BC846 ... BC850
NPN
Surface Mount General Purpose Si-Epi-Planar Transistors
Si-Epi-Planar Universaltransistoren für die Oberflächenmontage
Version 2006-06-02
2.9 ^±0.1
1.1
0.4
3
Type
Code
1
2
1.9
Dimensions - Maße [mm]
1=B 2=E 3=C
Power dissipation – Verlustleistung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
NPN
250 mW
SOT-23
(TO-236)
0.01 g
Maximum ratings (TA = 25°C)
Grenzwerte (TA = 25°C)
BC846
BC847
BC850
BC848
BC849
Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung B open VCEO
65 V
45 V
30 V
Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung
E open VCBO
80 V
50 V
30 V
Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung
Power dissipation – Verlustleistung
C open VEB0
Ptot
6V
5V
250 mW ¹)
Collector current – Kollektorstrom (dc)
IC
100 mA
Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom
ICM
200 mA
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
-55...+150°C
TS
-55…+150°C
Characteristics (Tj = 25°C)
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis
VCE = 5 V, IC = 10 µA
Group A
hFE
Group B
hFE
Group C
hFE
VCE = 5 V, IC = 2 mA
Group A
hFE
Group B
hFE
Group C
hFE
Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Sättigungsspannung ²)
IC = 10 mA, IB = 0.5 mA
IC = 100 mA, IB = 5 mA
Base-Emitter saturation voltage – Basis-Sättigungsspannung ²)
VCEsat
VCEsat
IC = 10 mA, IB = 0.5 mA
IC = 100 mA, IB = 5 mA
VBEsat
VBEsat
Kennwerte (Tj = 25°C)
Min.
Typ.
Max.
–
90
–
–
150
–
–
270
–
110
180
220
200
290
450
420
520
800
–
90 mV 250 mV
–
200 mV 600 mV
–
700 mV
–
–
900 mV
–
1 Mounted on P.C. board with 3 mm² copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm² Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
2 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
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