BC817_07 Datasheet, PDF (1/2 Pages) Diotec Semiconductor – Surface Mount General Purpose Si-Epi-Planar Transistors

BC817 / BC818
BC817 / BC818
NPN
Surface Mount General Purpose Si-Epi-Planar Transistors
Si-Epi-Planar Universaltransistoren für die Oberflächenmontage
Version 2007-04-13
2.9 ^±0.1
1.1
0.4
3
Type
Code
1
2
1.9
Dimensions - Maße [mm]
1=B 2=E 3=C
Power dissipation – Verlustleistung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
NPN
310 mW
SOT-23
(TO-236)
0.01 g
Maximum ratings (TA = 25°C)
Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung E-B short VCES
Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung B open
VCEO
Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung
C open
VEBO
Power dissipation – Verlustleistung
Ptot
Collector current – Kollektorstrom (dc)
IC
Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom
ICM
Peak Emitter current – Emitter-Spitzenstrom
- IEM
Peak Base current – Basis-Spitzenstrom
IBM
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Tj
Storage temperature – Lagerungstemperatur
TS
Grenzwerte (TA = 25°C)
BC817
BC818
50 V
30 V
45 V
25 V
5V
310 mW ¹)
800 mA
1A
1A
200 mA
-55...+150°C
-55…+150°C
Characteristics (Tj = 25°C)
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis ²)
VCE = 1 V, IC = 100 mA
Group -16
hFE
Group -25
hFE
Group -40
hFE
VCE = 1 V, IC = 500 mA
all groups
hFE
Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Emitter-Sättigungsspg. ²)
IC = 500 mA, IB = 50 mA
VCEsat
Base-Emitter saturation voltage – Basis-Emitter-Sättigungsspannung ²)
IC = 500 mA, IB = 50 mA
VBEsat
Kennwerte (Tj = 25°C)
Min.
Typ.
Max.
100
–
250
160
–
400
250
–
630
40
–
–
–
–
0.7 V
–
–
1.3 V
1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case
Gültig wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
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