BC817W_16 Datasheet, PDF (1/2 Pages) Diotec Semiconductor – SMD General Purpose NPN Transistors

BC817W / BC818W
BC817W / BC818W
SMD General Purpose NPN Transistors
SMD Universal-PNP-Transistoren
IC = 500 mA
hFE ~ 180/290/520
Tjmax = 150°C
VCEO = 25...45 V
Ptot = 200 mW
Version 2016-04-13
SOT-323
Typical Applications
Signal processing,
Switching, Amplification
Commercial grade ¹)
Typische Anwendungen
Signalverarbeitung,
Schalten, Verstärken
Standardausführung ¹)
2^±0.1
0.3
3
1^±0.1
Type
Code
1
2
1.3
Features
General Purpose
Three current gain groups
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals ¹)
Mechanical Data ¹)
Taped and reeled
Besonderheiten
Universell anwendbar
Drei Stromverstärkungsklassen
RoHS
Pb
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien ¹
Mechanische Daten ¹)
3000 / 7“
Gegurtet auf Rolle
1=B 2=E 3=C
Dimensions - Maße [mm]
Weight approx.
Case material
Solder & assembly conditions
0.01 g
UL 94V-0
260°C/10s
Gewicht ca.
Gehäusematerial
Löt- und Einbaubedingungen
MSL = 1
Maximum ratings (TA = 25°C)
Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung
Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung
Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung
Power dissipation – Verlustleistung
Collector current – Kollektorstrom (dc)
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
E-B short
VCES
B open
VCEO
C open
VEBO
Ptot
IC
Tj
TS
Grenzwerte (TA = 25°C)
BC817W
BC818W
50 V
30 V
45 V
25 V
5V
200 mW ²)
500 mA
-55...+150°C
-55…+150°C
Characteristics (Tj = 25°C)
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis ³)
VCE = 1 V, IC = 100 mA
Group -16
Group -25
Group -40
VCE = 1 V, IC = 500 mA
all groups
Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Emitter-Sättigungsspg. ³)
IC = 500 mA, IB = 50 mA
hFE
hFE
hFE
hFE
VCEsat
Kennwerte (Tj = 25°C)
Min.
Typ.
Max.
100
–
250
160
–
400
250
–
600
40
–
–
–
–
0.7 V
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 Mounted on P.C. board with 3 mm² copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm² Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
3 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
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