BAW56W Datasheet, PDF (1/2 Pages) NXP Semiconductors – High-speed double diode

BAW56W
BAW56W
Fast Switching Surface Mount Si-Planar Double Diodes
Schnelle Si-Planar Doppel-Dioden für die Oberflächenmontage
Version 2006-03-29
2^±0.1
0.3
3
1^±0.1
Power dissipation
Verlustleistung
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Type
Code
1
2
1.3
Dimensions - Maße [mm]
1 = C1 2 = C2 3 = A1/A2
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca.
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
200 mW
75 V
SOT-323
0.01 g
Maximum ratings (TA = 25°C)
Power dissipation – Verlustleistung ¹)
Max. average forward current (dc)
Dauergrenzstrom
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
Non repetitive peak forward surge current
Stoßstrom-Grenzwert
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Grenzwerte (TA = 25°C)
per diode / pro Diode
BAW56
Ptot
200 mW ²)
IFAV
150 mA ²)
IFRM
450 mA ²)
tp ≤ 1 s
tp ≤ 1 ms
tp ≤ 1 µs
IFSM
IFSM
IFSM
VRRM
0.5 A
1A
2A
75 V
Tj
-55…+150°C
TS
-55…+150°C
Characteristics (Tj = 25°C)
Forward voltage
Durchlass-Spannung
Leakage current ³)
Sperrstrom
Tj = 25°C
Tj = 150°C
IF = 1 mA
IF = 10 mA
IF = 50 mA
IF = 150 mA
VR = VRRM
VR = 25 V
VR = VRRM
Kennwerte (Tj = 25°C)
VF
< 715 mV
VF
< 855 mV
VF
< 1.00 V
VF
< 1.25 V
IR
< 2.5 µA
IR
< 30 µA
IR
< 50 µA
1 Total power dissipation of both diodes − Summe der Verlustleistungen beider Dioden
2 Mounted on P.C. board with 3 mm² copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm² Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
3 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
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